서로 다른 물질을 겹겹이 쌓는 대신 원자를 선택적으로 바꿔 반도체 소자를 만드는 기술이 개발됐다. 과학기술정보통신부는 16일 IBS 조문호 연구팀의 모듈형 트랜지스터 제작 성과를 소개했다.
연구팀은 2차원 반도체 박막의 원하는 층과 위치에서 일부 원자를 다른 원자로 치환했다. 이를 통해 하나의 박막 안에 반도체와 절연체, 전기가 잘 통하는 준금속 영역을 구현했다.
기존 방식은 얇은 물질을 옮겨 쌓는 공정이 복잡하거나 전극 접촉면에서 성능이 떨어지는 문제가 있었다. 이번 접근은 원자층 수준에서 필요한 영역을 직접 형성해 이런 집적 문제를 줄이려는 시도다.
연구 결과는 16일 국제학술지 사이언스에 게재됐다. 초미세·저전력 소자와 적층 구조로의 확장 가능성을 보여준 연구 성과로, 대량생산 공정의 상용화가 완료됐다는 뜻은 아니다.